本文摘要:来自印度和日本的科学家们研发了一种用于石墨烯恩晶体管检测病原基因的新方法。石墨烯场效应晶体管(GFETs)需要通过DNA杂交检测出有病原基因:当DNA探针与与之有序的靶DNA融合时,晶体管的导电性转变。来自日本国家材料科学研究所的NobutakaHanagata及其同事对石墨烯传感器展开了改良,他们通过潮湿过程将DNA探针融合在晶体管上,这样就不必须此前常用的便宜而费时的偶联剂核苷酸序列。
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来自印度和日本的科学家们研发了一种用于石墨烯恩晶体管检测病原基因的新方法。石墨烯场效应晶体管(GFETs)需要通过DNA杂交检测出有病原基因:当DNA探针与与之有序的靶DNA融合时,晶体管的导电性转变。来自日本国家材料科学研究所的NobutakaHanagata及其同事对石墨烯传感器展开了改良,他们通过潮湿过程将DNA探针融合在晶体管上,这样就不必须此前常用的便宜而费时的偶联剂核苷酸序列。
研究团队设计的GFETs由沉积在硅基底上的含钛-金电极的石墨烯构成,然后将DNA探针盐溶液滴加在上面,并使之潮湿。他们找到这种潮湿过程可以必要将DNA探针相同在石墨烯表面,需要任何偶联剂。随后,他们将所含靶标DNA的盐溶液滴加至其表面,孵育4小时使DNA杂交。
通过这些过程,GFETs顺利工作,研究人员找到当探针与靶标融合时,传感器导电能力再次发生了转变,这意味著不存在病原靶标基因,而用于其他非有序基因时,传感器导电能力无变化。DNA杂交可以通过给靶标DNA融合上荧光分子展开检测,这种情况下一旦再次发生杂交,传感器就不会闪烁。
但是这种方法牵涉到的标记过程简单,同时还必须便宜的检测器检测荧光。而GFERs则是一个检测病原基因更加低廉、更容易操作者且更加脆弱的自由选择。“接下来我们将更进一步优化GFETs的功能以用作未来的生物传感器领域,特别是在是在检测遗传疾病等方面的应用于。
”研究人员在他们公开发表于ScienceandTechnologyofAdvancedMaterials上的文章中总结道。
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